近日,据江苏第三代半导体研究院官微消息,在材料生长与装备平台的超净实验室里,国家第三代半导体技术创新中心(苏州)科研人员经过三个多小时实验,采用与国内半导体设备厂家联合研发的首台国产MOCVD设备,首炉试生长成功产出了高质量GaN外延片。
生长的GaN外延材料的测试结果:AFM表面Ra<0.5nm,xrd摇摆曲线>600cm2/V-s。
首炉高质量GaN外延片的成功出炉,标志着国创中心(苏州)的公共研发平台在协助产业界研发新设备、开发新技术的支撑服务能力方面,又迈进了坚实的一步,具有重要的里程碑意义!